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参数资料
型号： APT150GN60B2
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, TMAX-3
文件页数： 1/6页
文件大小： 172K
代理商： APT150GN60B2
050-7632
Rev
A
8-2008
APT150GN60B2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 4mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 2400μA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 150A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 150A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
3
Collector Cut-off Current (V
CE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
3
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
μA
nA
Ω
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT150GN60J
600
±30
220
123
450
450A @ 600V
536
-55 to 175
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
1
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 2
Switching Safe Operating Area @ T
J = 175°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra
low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum
conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and
a slightly positive VCE(ON) temperature coefcient. A built-in gate resistor ensures
extremely reliable operation, even in the event of a short circuit fault. Low gate charge
simplies gate drive design and minimizes losses.
600V Field Stop
Trench Gate: Low VCE(on)
Easy Paralleling
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS
MIN
TYP
MAX
600
5.0
5.8
6.5
1.05
1.45
1.85
1.65
25
1000
600
2
G
C
E
600V
APT150GN60B2(G)
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
APT15GP90BDF1 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GT120BRDQ1 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GT60BRDQ1 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT17M120JCU3 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
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APT150GN60J 功能描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN60JDQ4 功能描述:IGBT 600V 220A 536W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT150GN60LDQ4 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT150GN60LDQ4G 功能描述:IGBT 600V 220A 536W TO-264L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
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