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参数资料
| 型号： | APT2012ZGC |
| 厂商： | Kingbright Corp |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | LED 2X1.2MM 525NM GN WTR CLR SMD |
| 产品目录绘图： | APT2012 Series Top APT2012 Series APT2012 Series Side |
| 标准包装： | 1 |
| 颜色： | 绿 |
| Millicandela 等级： | 300mcd |
| 正向电压： | 3.3V |
| 电流 - 测试： | 20mA |
| 波长 - 主： | 525nm |
| 波长 - 峰值： | 515nm |
| 视角： | 120° |
| 透镜类型： | 透明 |
| 透镜样式/尺寸： | 矩形，带平顶，1.3mm x 1.25mm |
| 封装/外壳： | 0805（2012 公制） |
| 尺寸/尺寸： | 2.00mm L x 1.25mm W |
| 高度： | 0.75mm |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2889 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 754-1438-6 |
SPEC NO: DSAE3711 REV NO: V.7 DATE: SEP/20/2010 PAGE: 2 OF 5
APPROVED: WYNEC CHECKED: Allen Liu DRAWN: C.H.Han ERP: 1203003552
Selection Guide
Notes:
1. ?/2 is the angle from optical centerline where the luminous intensity is 1/2 of the optical peak value.
2. Luminous intensity/ luminous Flux: +/-15%.
Absolute Maximum Ratings at TA=25癈
Electrical / Optical Characteristics at TA=25癈
Notes:
1.Wavelength: +/-1nm.
2. Forward Voltage: +/-0.1V.
Note:
1. 1/10 Duty Cycle, 0.1ms Pulse Width.
Part No.
Dice
Lens Type
iewing
Angle [1]
Min.
Typ.
2?/2
APT2012ZGC
Green (InGaN)
Water Clear
280
450
120?/SPAN>
Iv (mcd) [2]
@ 20mA
Symbol
Parameter
Device
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
籶eak
Peak Wavelength
Green
515
nm
IF=20mA
籇 [1]
Dominant Wavelength
Green
525
nm
IF=20mA
敾1/2
Spectral Line Half-width
Green
30
nm
IF=20mA
C
Capacitance
Green
45
pF
VF=0V;f=1MHz
VF [2]
Forward Voltage
Green
3.3
4.1
V
IF=20mA
IR
Reverse Current
Green
50
uA
VR=5V
Parameter
Green
Units
Power dissipation
102.5
mW
DC Forward Current
25
mA
Peak Forward Current [1]
150
mA
Reverse Voltage
5
V
Operating Temperature
-40癈 To +85癈
Storage Temperature
-40癈 To +85癈
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3216CGCK | LED 3.2X1.6MM 570NM GRN CLR SMD |
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| APT3216MGC | LED 3.2X1.6MM 570NM GRN CLR SMD |
| APT3216PBC/A | LED 3.2X1.6MM 470NM BLUE CLR SMD |
| APT3216QBC/D | LED 3.2X1.6 470NM BL WTR CLR SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT20DC120HJ | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module |
| APT20DC60HJ | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module |
| APT20F50B | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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