型号: | APT20GT60KR |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 392K |
代理商: | APT20GT60KR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT20GT60KRG | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
APT20M20JFLL | 104 A, 200 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT20M22B2VR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT20M22B2VR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT20M22LVFR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT20GT60KRG | 功能描述:IGBT 600V 43A 174W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT20M10JFLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
APT20M10JLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
APT20M11JFLL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 176A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:* |
APT20M11JLL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 176A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:* |