型号: | APT20M18B2VR |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 100 A, 200 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | TMAX-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 155K |
代理商: | APT20M18B2VR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT20M18B2VR | 100 A, 200 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
A5T3638A | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
A5T3638 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
AF70N03D | 60 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
AF70N03DA | 60 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT20M18B2VR_04 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V MOSFET |
APT20M18B2VRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT20M18LVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT20M18LVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT20M18LVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |