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参数资料
| 型号： | APT20M21BFN |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 120 A, 200 V, 0.021 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | APT20M21BFN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT802R8CN | 4 A, 800 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT601R6CN | 5.5 A, 600 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT6070CN | 9.5 A, 600 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT10050CFN | 22 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT40M42BFN | 95 A, 400 V, 0.04 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT20M21DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| APT20M21JN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 120A I(D) |
| APT20M22 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22B2VFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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