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参数资料
| 型号： | APT20M45BNR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 58 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | APT20M45BNR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20M60BNR | 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT20N60KC3 | 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| APT25GP120BD1 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BG | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GP90B | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT20M45BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement |
| APT20M45BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT20M45BVR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 56A 3-PIN (3+ TAB) TO-247 - Bulk |
| APT20M45BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT20M45JN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 73A I(D) |
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