- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36709 > APT22M100JCU2 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT22M100JCU2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | APT22M100JCU2 |
APT22M100JCU2
APT
22M
100JCU2
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
4- 5
Low Voltage Output Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VGS=10V
Low Voltage Output Characteristics
4.5V
5V
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
TJ=125°C
VGS=6, 7, 8 & 9V
Normalized RDSon vs. Temperature
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
on
,
Drai
n
to
S
o
u
rce
ON
resi
stance
VGS=10V
ID=16A
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
0123
4
567
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t
(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5
duty cycle
Ciss
Crss
Coss
1
10
100
1000
10000
100000
0
50
100
150
200
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C,
Cap
a
c
itan
ce
(p
F)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Gate Charge vs Gate to Source
VDS=200V
VDS=500V
VDS=800V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
240
280
Gate Charge (nC)
V
GS
,G
a
te
t
o
Sour
c
e
Volt
a
g
e
VGS=10V
ID=16A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT23H50S | 23 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT23H50B | 23 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB |
| APT25GF120JCU2 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B2DQ2G | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B2DQ2 | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT22M100JCU3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Buck chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module |
| APT23F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT23F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK |
| APT24F50B | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT24F50B_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。