- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36709 > APT25GN120B 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT25GN120B |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | APT25GN120B |
050-7600
Rev
D
11-2005
APT25GN120B_S(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
IC = 25A
TJ = 25°C
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
80
70
60
50
40
30
20
10
0
75
60
45
30
15
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
15V
11V
9V
8V
12V
10V
7V
15V
11V
10V
9V
12V
8V
7V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 50A
I
C = 25A
I
C = 12.5A
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 50A
I
C = 25A
I
C = 12.5A
0
5
10
15
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
14
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GN120BG | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GN120S | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120SG | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GN120B | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GN120S | 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GN120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT25GN120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GN120BG | 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GN120S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies |
| APT25GN120SG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 67A 272W D3PAK 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。