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参数资料
| 型号： | APT25GP120B |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | APT25GP120B |
050-7411
Rev
B
4-2003
APT25GP120B
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
0
t
f
Collector Voltage
Collector Current
10%
90%
T
J = 125
C
t
d(off)
Gate Voltage
Switching Energy
90%
5 %
t
r
Collector Voltage
Collector Current
90%
T
J = 125
C
5%
t
d(on)
Gate Voltage
Switching Energy
10%
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT15DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GP120BG | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GP90BDF1 | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GP90BDQ1 | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1 | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP90BDQ1G | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GP120BD1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family |
| APT25GP120BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT25GP120BDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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