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参数资料
| 型号： | APT25GP120BDQ1G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | APT25GP120BDQ1G |
050-7457
Rev
A
6-2005
APT25GP120BDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5 10 15 20 25 30 35
40 45
50
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
182
100
50
10
C
ies
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
res
0.128
0.173
0.00833
0.171
RC MODEL
Case temperature(°C)
Junction
temp (°C)
Power
(watts)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GP120BDQ1G | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GP120BDQ1 | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120BRDQ2 | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120BRDQ2G | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120BRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT25GP90BDF1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT25GP90BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT25GP90BDQ1G | 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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