型号: | APT25GT120BRDQ2 |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 5/9页 |
文件大小: | 428K |
代理商: | APT25GT120BRDQ2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT25GT120BRDQ2G | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT25GT120BRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT25GT120SRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT25GT120BRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 54A 347W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT25GT120BRG | 功能描述:IGBT 1200V 54A 347W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT25M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:10 系列:* |
APT25M100J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT25SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |