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参数资料
| 型号： | APT30D100BCTG |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APT30D100BCTG |
053-0014
Rev
B
6-2005
APT30D100BCT(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
TJ = 125°C
VR = 667V
15A
30A
60A
t
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
400
350
300
250
200
150
100
50
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
70
60
50
40
30
20
10
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
300
250
200
150
100
50
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = 125°C
VR = 667V
T
J = 150°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3.
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
60A
15A
30A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
TJ = 125°C
VR = 667V
60A
30A
15A
Q
rr
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
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PDF描述 |
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