型号: | APT30GN60B |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 395K |
代理商: | APT30GN60B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT30GN60BG | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT30GP60JDQ1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT30GP60JDQ1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT30M36B2LLG | 84 A, 300 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
APT30GN60BDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
APT30GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT30GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT30GN60K | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT30GN60KG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SIN - Rail/Tube |