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参数资料
| 型号： | APT30N60BC6 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APT30N60BC6 |
050-7209
Rev
A
8-2010
Typical Performance Curves
APT30N60B_SC6
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
0
50
100
150
0.85
0.90
0.95
.00
.05
.10
.15
.20
-50
0
50
100
150
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
15V
V
GS = 20V
T
J= 25°C
T
J= -55°C
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Low Voltage Output Characteristics
I C
,DRAIN
CURRENT
(A)
T
J= 125°C
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
T
C, CASE TEMPERATURE (C°)
FIGURE 5, Maximum Drain Current vs Case Temperature
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I
D, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 4, R
DS(ON) vs Drain Current
I DR
,REVERSE
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DSS
,DRAIN-T
O-SOURCE
BREAKDOWN
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
T
C, Case Temperature (°C)
FIGURE 8, Threshold Voltage vs Temperature
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
-50
0
50
100
150
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (C°)
FIGURE 7, On-Resistance vs Temperature
R
DS(ON)
,DRAIN-T
O-SOURCE
ON
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
4.5V
6.5V
10V
V
GS = 10V
V
DS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 15A
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 9, Maximum Safe Operating Area
1
10
100
200
1
10
100
800
1ms
100ms
100s
10ms
10s
5.0V
5.5V
6.0V
7.0V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30N60SC6 | 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT33GF120B2RD | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT33GF120LRD | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT4020SVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4020BVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT30N60SC6 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APT30N60SC6 - Bulk |
| APT30S20B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT30S20BCT | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT30S20BCTG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2X45A 200V TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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