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参数资料
| 型号： | APT3580BN |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | APT3580BN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3580BN-GULLWING | 10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT3580BN-BUTT | 10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4080BN-BUTT | 10 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4065BN | 11 A, 400 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT4080BN-GULLWING | 10 A, 400 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT3580CN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254ISO |
| APT3580GN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-257ISO |
| APT35DL120HJ | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE 1200V SOT-227 |
| APT35G50BN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| APT35G60BN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
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