型号: | APT35GP120JD2 |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 29 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | ISOTOP-4 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 523K |
代理商: | APT35GP120JD2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
APT45GP120B2D2 | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT35GP120B2D2 | 46 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT75GP120JD2 | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT30GP60JD1 | 31 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT45GP120JD2 | 34 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
APT35GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 64A 284W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT35GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT35GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 55A 260W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT35M42BFN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
APT35M42DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |