- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36713 > APT40GP90JDF2 68 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT40GP90JDF2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 68 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | APT40GP90JDF2 |
APT40GP90JDF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
050-7482
Rev
B
8-2004
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
7,000
1,000
500
100
50
10
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
( P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
10
20
30
40
50
60
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 600V
RG = 5
140
50
10
5
1
0.0966
0.228
0.116
0.00997F
0.0158F
1.96F
Power
(watts)
Junction
temp (
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GT60BR | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT40GT60BR | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT40M35JVR | 93 A, 400 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT40M42JN | 86 A, 400 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT40M70B2VFR | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT40GP90JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi APT40GP90JDQ2 IGBTs 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 4-Pin SOT-227 |
| APT40GR120B | 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT40GR120B2D30 | 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT40GR120B2SCD10 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
| APT40GR120S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 88A 500W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。