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参数资料
| 型号： | APT5010JVRU2 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | APT5010JVRU2 |
APT5010JVRU2
A
P
T
5010J
V
R
U
2–
R
ev
1
J
une
,2006
www.microsemi.com
2 – 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VGS = 0V,VDS = 500V
Tj = 25°C
25
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS = 0V,VDS = 400V
Tj = 125°C
250
A
RDS(on)
Drain – Source on Resistance
VGS = 10V, ID = 22A
100
m
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VGS = VDS, ID = 2.5mA
2
4
V
IGSS
Gate – Source Leakage Current
VGS = ±20 V, VDS = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ciss
Input Capacitance
7410
Coss
Output Capacitance
1050
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5010JVR | 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010JVR | 44 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5010LFLC | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LLL | 46 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LLLG | 46 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT5010JVRU3 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:* |
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| APT5010LFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT5010LLC | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT5010LLL | 制造商:APT 功能描述: |
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