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参数资料
| 型号： | APT50GN120B2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | T-MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | APT50GN120B2 |
050-7602
Rev
C
10-2005
APT50GN120B2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
CollectorVoltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT30DQ120
CollectorVoltage
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
Emitter
Gate
Collector (Cathode)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
T-MAX (B2) Package Outline
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GN120L2DQ2G | 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN120L2DQ2 | 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN120L2DQ2 | 134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN60SDQ3(G) | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN60BDQ3(G) | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT50GN120L2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT50GN120L2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT50GN60B | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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