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参数资料
| 型号： | APT50GN60BDQ3(G) |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | APT50GN60BDQ3(G) |
APT50GN60B_SDQ3(G)
050-7635
Rev
A
1-201
1
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT40DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GN60SDQ3 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GN60BDQ3 | 107 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GP60B2DQ2G | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60B2DQ2 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60B2DQ2G | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 107A 366W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT50GN60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SDQ2G | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GN60SG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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