型号: | APT50GP60BG |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 98K |
代理商: | APT50GP60BG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT50GP60S | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT50GP60SG | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT50GP60B | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT50GP60S | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT50GP60J | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT50GP60J | 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT50GP60JDQ2 | 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT50GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT50GP60LDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 150A TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APT50GP60S | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |