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参数资料
| 型号： | APT50GP60JD2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 46 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 523K |
| 代理商： | APT50GP60JD2 |
Advanced Power Technology
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
VCE(ON)
IC2
RqJC
Part
Package
Volt
(25OC)
110OC(OC/watt)
Number
Style
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120K
TO-220
600
2.7
30
0.43
APT15GP60K
TO-220
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120B
TO-247
3.9
36
0.27
APT25GP120B
TO-247
3.9
46
0.23
APT35GP120B
TO-247
3.9
54
0.20
APT45GP120B
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60B
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60B
TO-247
2.7
62
0.23
APT40GP60B
TO-247
2.7
70
0.20
APT50GP60B
TO-247
1200
3.9
61
0.12
APT75GP120B2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60B2
T-MAXTM
2.7
100
0.12
APT80GP60B2
T-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120J
ISOTOP
3.9
34
0.38
APT45GP120J
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120J
ISOTOP
600
2.7
40
0.44
APT40GP60J
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60J
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60J
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60J
ISOTOP
1200
3.9
21
0.43
APT13GP120BD1
TO-247
600
2.7
30
0.43
APT15GP60BD1
TO-247
2.7
49
0.27
APT30GP60BD1
TO-247
1200
3.9
36
0.27
APT25GP120B2D1
T-MAXTM
3.9
46
0.23
APT35GP120B2D2
T-MAXTM
3.9
54
0.23
APT45GP120B2D2
T-MAXTM
600
2.7
62
0.23
APT40GP60B2D1
T-MAXTM
2.7
72
0.20
APT50GP60B2D2
T-MAXTM
600
2.7
96
0.15
APT65GP60L2D2
264-MAXTM
1200
3.9
29
0.44
APT35GP120JD2
ISOTOP
3.9
34
0.44
APT45GP120JD2
ISOTOP
3.9
41
0.23
APT75GP120JD2
ISOTOP
600
2.7
31
0.51
APT30GP60JD1
ISOTOP
2.7
40
0.44
APT40GP60JD1
ISOTOP
2.7
46
0.38
APT50GP60JD2
ISOTOP
2.7
60
0.29
APT65GP60JD2
ISOTOP
2.7
68
0.27
APT80GP60JD3
ISOTOP
Single
TO-220
TO-220[K]
TO-247[B]
T-MAX[B2]
T-Max
ISOTOP[J]
SOT-227
G
E
C
TO-264
Max
264 MAX [L2]
TO-247
Combi (IGBT & FRED)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GP60JD1 | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT35GP120JD2 | 29 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT45GP120B2D2 | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT35GP120B2D2 | 46 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GP120JD2 | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GP60JDQ2 | 功能描述:IGBT 600V 100A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT50GP60LDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 150A TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT50GP60S | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT50GP60SG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube |
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