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参数资料
| 型号： | APT50GT120B2R |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APT50GT120B2R |
Typical Performance Curves
APT50GT120B2R_LR(G)
052-6270
Rev
D
9-2008
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200 250 300 350
0
1
2
3
4
5
6
11
12
13
14
15
16
10
9
8
0
25
50
75
100
125
150
10
12
14
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
0
1015202530
5
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
T
J = 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
GE = 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 25A
I
C = 50A
I
C = 100A
I
C = 25A
I
C = 50A
I
C = 100A
13V
8V
11V
7V
6V
15V
I
C = 50A
T
J = 25°C
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
T
J= 25°C
T
J= -55°C
V
GE = 15V
T
J= 55°C
T
J= 150°C
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics (T
J
= 25°C)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
T
J= 25°C
T
J= 125°C
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 25°C)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
10V
9V
T
J= 125°C
V
CE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to-Emitter Voltage
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
VOL
TAGE
(V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate charge
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
VOL
TAGE
(V)
T
J, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
VOL
TAGE
(V)
T
C, Case Temperature (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
I C
,DC
COLLECT
OR
CURRENT
(A)
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-.50 -.25
0
25
50
75 100 125 150
T
J, JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 7, Threshold Voltage vs Junction Temperature
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
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