收藏本站
参数资料
型号： APT50GT120B2RDL
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, TMAX-3
文件页数： 7/9页
文件大小： 216K
代理商： APT50GT120B2RDL
052-6350
Rev
A
7-2008
APT50GT120B2RDL(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 110°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 30A
Forward Voltage
I
F = 60A
I
F = 30A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
1.6
2.1
2.0
1.6
APT50GT120B2RDL(G)
30
45
60
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
61
-
592
-
2694
-
9
-
793
-
5744
-
13
-
286
-
6182
-
42
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 30A, diF/dt = -200A/μs
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F =30A, diF/dt = -200A/μs
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 30A, diF/dt = -1000A/μs
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/μs, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
0.355
0.273
0.002
0.1172
相关PDF资料
PDF描述
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT60BRDQ2G 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT60BRDQ2 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50M38JLL 88 A, 500 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M50JLC 77 A, 500 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
APT50GT120B2RDLG 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT50GT120B2RDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT50GT120B2RG 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT50GT120JRDQ2 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT50GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*