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参数资料
| 型号： | APT50GT120JU2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 608K |
| 代理商： | APT50GT120JU2 |
APT50GT120JU2
A
PT
50G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 7
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
25
50
75
100
01234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
4
8
12
16
20
025
50
75
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 18
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
2
4
6
8
10
12
5
1015
202530
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 50A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=18
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT120JU3 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120JU3 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120LRDQ2 | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT120LRDQ2G | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT60BR | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GT120LR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT120LRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT50GT120LRG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT50GT60BR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
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