型号: | APT50M80B2VFR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 96K |
代理商: | APT50M80B2VFR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT50M80LVFR | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT50M80LVFRG | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5510JFLL | 44 A, 550 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5510JFLL | 44 A, 550 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5540BN | 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT50M80B2VFR_03 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V |
APT50M80B2VFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT50M80B2VR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX |
APT50M80B2VR_03 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V |
APT50M80B2VRG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |