型号: | APT55M85LFLL |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 59 A, 550 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封装: | TO-264, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 70K |
代理商: | APT55M85LFLL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT55M85B2FLL | 59 A, 550 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT55M85LFLL | 59 A, 550 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
APT55M85LFLLG | 59 A, 550 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
APT56H50J | 56 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT58M50JCU3 | 58 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT55M90BFN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 550V V(BR)DSS | 63A I(D) |
APT55M90DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | CHIP |
APT56F50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT56F50B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
APT56F50L | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |