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参数资料
| 型号： | APT58M50JCU3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 58 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | APT58M50JCU3 |
APT58M50JCU3
APT
58M
50JCU3
–
Rev
0
Septem
b
er
,2009
www.microsemi.com
5- 5
Typical SiC Diode Performance Curve
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
p
e
da
nc
e
(
°C
/W)
Forward Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
10
20
30
40
0
0.5
11.5
22.5
33.5
VF Forward Voltage (V)
I F
Forwa
rd
Current
(A)
Reverse Characteristics
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
TJ=175°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
200
300
400
500
600
700
800
VR Reverse Voltage (V)
I R
Revers
e
Cu
rren
t(
A)
Capacitance vs.Reverse Voltage
0
200
400
600
800
1
10
100
1000
VR Reverse Voltage
C
,C
a
pa
cit
a
nce
(
p
F)
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Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6010B2FLL | 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT6010B2FLLG | 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| APT6010B2FLL | 54 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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