型号: | APT6029SFLL |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | D3PAK-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 164K |
代理商: | APT6029SFLL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
APT6029SFLL | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT6029BFLLG | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT6029BLL | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT6029BLLG | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT6029BLL | 21 A, 600 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
APT6029SFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT6029SLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
APT6029SLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT6030 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT6030BN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |