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参数资料
| 型号： | APT60M80L2VR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-264MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | APT60M80L2VR |
050-5991
Rev
B
6-2004
Typical Performance Curves
APT60M80L2VR
TO-264 MAXTM(L2VFR) Package Outline
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Switching Energy
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
90%
t
f
90%
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
T
J125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
Switching Energy
ID
D.U.T.
VDS
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
APT60DF60
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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