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参数资料
| 型号： | APT75GL60BN |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | APT75GL60BN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GL60BN | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GF100BN | 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT30GF60BN | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT110GF60JN | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GF100BN | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT75GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT75GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT75GN120J | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GN120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GN120JDQ3G | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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