型号: | APT75GN120B2 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | T-MAX, 3 PIN |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 402K |
代理商: | APT75GN120B2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT75GN120LG | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT75GN120L | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT75GN120B2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT75GN60B | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT75GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT75GN120J | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT75GN120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT75GN120JDQ3G | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT75GN120JR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |