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参数资料
| 型号： | APT801R4BN-GULLWING |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8.5 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | APT801R4BN-GULLWING |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT801R2BN-GULLWING | 9 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT801R4BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-247AD |
| APT801R4CN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254ISO |
| APT8020B2FLL | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT8020B2FLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT8020B2LL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 800V 38A 3-PIN (3+TAB) T-MAX - Bulk |
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