| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 | 描述 | MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 |
| 标准包装 | 25 | 系列 | POWER MOS 7® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 220 毫欧 @ 19A，10V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 195nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 694W |
安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
供应商设备封装 | TO-264 [L] |
| 包装 | 管件 |
APT8020LFLLG 同类产品
| 型号 | HM33-H10070LFTR | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet | 
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | TT Electronics/BI | 描述 | CURRENT SENSE TRANSFORMERS |
| 标准包装 | 750 | 系列 | HM33 |
| 变压器类型 | - |
匝数比 - 主:副 | 1 : 70 |
| 电感 | 980µH |
额定电流 | 20A |
| DC 电阻(DCR) | 0.75 毫欧（主），4.75 欧姆（从） |
E.T. | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
尺寸/尺寸 | 8.13mm L x 7.11mm W |
| 高度 - 座高（最大） | 5.33mm |
端接类型 | 鸥翼型 |
| 型号 | FDA24N50 | 数量 | 511 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor | 描述 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN |
| 产品目录绘图 | MOSFET TO-3P(N) |
标准包装 | 30 |
| 系列 | UniFET™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 24A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4150pF @ 25V |
功率 - 最大 | 270W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 型号 | MMG3H21NT1 | 数量 | 1,752 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Freescale Semiconductor | 描述 | TRANS HBT 20.5DBM 19.3DB SOT-89 |
| 产品培训模块 | GaAs MMIC Amplifier Solutions |
标准包装 | 1 |
| 系列 | - | 频率 | 0Hz ~ 6GHz |
| P1dB | 20.5dBm（112.2mW） |
增益 | 19.3dB |
| 噪音数据 | 5.5dB |
RF 型 | - |
| 电源电压 | 5V |
电流 - 电源 | 90mA |
| 测试频率 | 900MHz |
封装/外壳 | TO-243AA |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MMG3H21NT1CT |
| 型号 | SG923-0012-3.3-C | 数量 | 12 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Sagrad Inc | 描述 | RF EVAL WI-FI MODULE |
| 标准包装 | 1 | 系列 | - |
| 类型 | 802.11 b/g/n |
频率 | 2.4GHz |
| 适用于相关产品 | SG901-1059B |
已供物品 | 模块，线缆 |
| 其它名称 | 831-1026 |
| 型号 | PMN23UN,135 | 数量 | 9,875 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | NXP Semiconductors | 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP |
| 标准包装 | 1 | 系列 | TrenchMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 28 毫欧 @ 2A，4.5V |
Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 740pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 标准包装 | 其它名称 | 568-7416-6 |
| 型号 | HM31-10050LF | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | TT Electronics/BI | 描述 | ENCAPSULATED CURRENT SENSE TRANS |
| 标准包装 | 360 | 系列 | HM31 |
| 变压器类型 | - |
匝数比 - 主:副 | 1 : 50 |
| 电感 | 5mH |
额定电流 | 5A |
| DC 电阻(DCR) | 最大 700 毫欧 |
E.T. | 300V µS |
| 安装类型 | 通孔 |
尺寸/尺寸 | 20.00mm L x 15.00mm W |
| 高度 - 座高（最大） | 20.00mm |
端接类型 | PC 引脚 |
| 型号 | MMG3H21NT1 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Freescale Semiconductor | 描述 | TRANS HBT 20.5DBM 19.3DB SOT-89 |
| 产品培训模块 | GaAs MMIC Amplifier Solutions |
标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - | 频率 | 0Hz ~ 6GHz |
| P1dB | 20.5dBm（112.2mW） |
增益 | 19.3dB |
| 噪音数据 | 5.5dB |
RF 型 | - |
| 电源电压 | 5V |
电流 - 电源 | 90mA |
| 测试频率 | 900MHz |
封装/外壳 | TO-243AA |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 560 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MMG3H21NT1TR |
| 型号 | SG923-0012-5.0-H | 数量 | 13 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
|
| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Sagrad Inc | 描述 | RF EVAL WI-FI MODULE |
| 标准包装 | 1 | 系列 | - |
| 类型 | 802.11 b/g/n |
频率 | 2.4GHz |
| 适用于相关产品 | SG901-1059B |
已供物品 | 模块，线缆 |
| 其它名称 | 831-1030 |
| 型号 | 0639023170 | 数量 | 可订货 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Molex Inc | 描述 | TOOL KIT |
| 标准包装 | 1 | 系列 | * |
| 其它名称 | 063902-3170 63902-3170 639023170 |
| 型号 | FCP9N60N | 数量 | 889 |
| RoHS | 无铅 / 符合 | PDF Datasheet |
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| 产品主类 | 分离式半导体产品 | 产品分类 | FET - 单 |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor | 描述 | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
| 产品目录绘图 | MOSFET TO-220 Pkg |
标准包装 | 400 |
| 系列 | SuperMOS™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A |
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 385 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1240pF @ 100V |
功率 - 最大 | 88.3W |
| 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1607 (CN2011-ZH PDF) |