| 型号: | APT8075AN |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 11.5 A, 800 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 558K |
| 代理商: | APT8075AN |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT8075HN | 11.5 A, 800 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| APT501R1GN | 6.5 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
| APT801R2CN | 7 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT20M40BFN | 83 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT8016DFN | 47 A, 800 V, 0.16 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT8075BN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT8075BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD |
| APT8075BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT8075BVFR_05 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT8075BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |