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参数资料
| 型号： | APT80GP60J |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | APT80GP60J |
050-7426
Rev
B
11-2003
SOT-227
G
E
C
ISOTOP
"UL Recognized"
APT80GP60J
600V
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
600
3
4.5
6
2.2
2.7
2.1
1.0
5
±100
Symbol
BVCES
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
UNIT
Volts
mA
nA
Symbol
VCES
VGE
VGEM
IC1
IC2
ICM
SSOA
PD
TJ,TSTG
TL
APT80GP60J
600
±20
±30
151
68
330
330A @ 600V
462
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage Transient
Continuous Collector Current @ TC = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 110°C
Pulsed Collector Current 1
@ TC = 25°C
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1.0mA)
Gate Threshold Voltage
(VCE = VGE, IC = 2.5mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 80A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 80A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency
switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
100 kHz operation @ 400V, 39A
Low Gate Charge
50 kHz operation @ 400V, 59A
Ultrafast Tail Current shutoff
SSOA rated
POWER MOS 7
IGBT
G
C
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT81H50L | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT81H50B2 | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB |
| APT83GU30B | 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT83GU30S | 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT80GP60JDQ3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube |
| APT80M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:10 系列:* |
| APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT80SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT80SM120J | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 |
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