型号: | APT80GP60JDQ3 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | ISOTOP-4 PIN |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 230K |
代理商: | APT80GP60JDQ3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT80SM120J | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 40A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:273W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 |
APT80SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 40A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 |