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参数资料
| 型号： | APT97H50J |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 97 A, 500 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | APT97H50J |
VGS= 7 & 10V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
VGS = 10V
6V
V
DS> ID(ON) x RDS(ON) MAX.
250SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 75A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
C
oss
C
iss
I
D = 75A
V
DS = 400V
V
DS = 100V
V
DS = 250V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 150°C
T
J = 25°C
TJ = 125°C
T
J = 150°C
C
rss
5V
5.5V
6.5V
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(V)
g fs
,TRANSCONDUCTANCE
R
DS(ON)
,DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I SD,
REVERSE
DRAIN
CURRENT
(A)
C,
CAPACITANCE
(pF)
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I D
,DRIAN
CURRENT
(A)
V
DS(ON), DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1, Output Characteristics
Figure 2, Output Characteristics
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3, RDS(ON) vs Junction Temperature
Figure 4, Transfer Characteristics
I
D, DRAIN CURRENT (A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5, Gain vs Drain Current
Figure 6, Capacitance vs Drain-to-Source Voltage
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7, Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage
Figure 8, Reverse Drain Current vs Source-to-Drain Voltage
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
-55 -25
0
25
50
75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
100
200
300
400
500
0
100 200 300 400 500 600 700 800
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
500
400
300
200
100
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
250
200
150
100
50
0
500
400
300
200
100
0
40,000
10,000
1000
100
10
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
APT97H50J
050-8150
Rev
A
6-2007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTC60AM24T1G | 95 A, 600 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT9F100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT9F100S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
| APT9M100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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