参数资料
型号: APTGF150A120T
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: MODULE-12
文件页数: 5/5页
文件大小: 276K
代理商: APTGF150A120T
APTGT100DH170
A
P
T
G
T
100
D
H
170
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.5
11.5
22.5
3
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100 120 140
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=900V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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