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参数资料
| 型号： | APTGF150DA120T |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-12 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | APTGF150DA120T |
APTGF150DA120T
A
P
T
G
F
150
D
A
120T
–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
01
23
45
6
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
50
100
150
200
250
300
01
234
56
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
8
16
24
32
40
48
56
0
50
100
150
200
250
300
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5.6
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
10
20
30
40
50
60
70
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 150A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=5.6
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
al
I
m
p
ed
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
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PDF描述 |
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