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参数资料
| 型号： | APTGF200DA120D3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D3, 11 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | APTGF200DA120D3G |
APTGF200DA120D3G
APT
G
F200DA120D3G
–
Rev
0
Septem
ber
,2008
www.microsemi.com
3- 5
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.09
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.16
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M6
3
5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
350
g
D3 Package outline (dimensions in mm)
1°
A
DTAIL A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF200SK120D3G | IGBT |
| APTGF25A120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T1G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF25H120T3G | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300A120G | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF200SK120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 300A 1400W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF200U120D | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module |
| APTGF200U120DG | 功能描述:IGBT 1200V 275A 1136W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF200U120T1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF200U60D4 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module |
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