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参数资料
| 型号： | APTGF20X60RTP2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-24 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | APTGF20X60RTP2 |
APTGF20X60RTP2
APTGF20X60BTP2
A
PT
G
F2
0X
60
B
T
P2
–
R
ev
0
Ju
ly
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 4
IGBT & Diode Inverter Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 500A
600
V
Tj = 25°C
0.7
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1.0
mA
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 20A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 0.5 mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
300
nA
Cies
Input Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
1100
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
50
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
250
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 20A
RG = 47
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
50
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
270
Tf
Fall Time
40
ns
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 20A
RG = 47
0.7
mJ
Tj = 25°C
1.25
1.7
VF
Forward Voltage
VGE = 0V
IF = 20A
Tj = 125°C
1.2
V
Tj = 25°C
1.7
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 20A
VR = 300V
di/dt=700A/s
Tj = 125°C
2.7
C
IGBT
1
RthJC
Junction to Case
Diode
1.5
°C/W
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
R25
Resistance @ 25°C
5
k
B 25/50
T25 = 298.16 K
3375
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
50
/
25
3. Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max Unit
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
3.3
N.m
Wt
Package Weight
185
g
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
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PDF描述 |
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