- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36730 > APTGF300A120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGF300A120 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | APTGF300A120 |
APTGF300A120
A
PT
G
F3
00
A
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
0
100
200
300
400
500
600
700
0
300
600
900
1200
1500
I C
,C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
Minimum Switching Safe Operating
Area
Switching times vs gate resistor
tdon
tdoff
tr
tf
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
Gate resistance (Ohms)
tim
e
(n
s)
VCE = 600V, VGE=±15V
IC=300A, TJ = 125°C
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
0
20
40
60
80
100
50
100 150 200 250 300 350 400
IC, Collector Current (A)
Fm
ax
,O
pe
ra
tin
g
Fr
eq
ue
nc
y
(k
H
z)
Operating Frequency vs Collector Current
VCE = 800V
D = 50%
RG = 2
TJ = 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF300U120DG | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300U60D4 | 375 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300U60D4 | 375 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF300U60D4G | 375 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF30X60T3G | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF300A120AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300A120D3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300A120G | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF300A120T6G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300DA120D3G | 功能描述:IGBT 1200V 420A 2100W D3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。