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参数资料
| 型号： | APTGF300U120D |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-5 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | APTGF300U120D |
APTGF300U120D
A
P
T
G
F
300
U
120D
–
R
ev
0
J
ul
y,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
1234
Ic
,C
o
lle
c
to
rc
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
01234
Ic
,C
o
lle
c
to
rc
u
rr
e
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
46
8
10
12
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=600V
VCE=800V
0
4
8
12
16
20
0
500
1000
1500
2000
2500
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
et
o
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
(
V
)
IC = 300A
TJ = 25°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
tdoff
tdon
tr
tf
10
100
1000
0
100
200
300
400
Ic, Collector current (A)
ti
m
e
(n
s)
Switching times vs collector current
V
CE = 600V
VGE=±15V
R
G=2
TJ = 125°C
Cres
Coes
Cies
1
10
100
0
102030
C
,C
ap
aci
ta
n
ce
(
n
F
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
Eon
Eoff
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
er
g
yl
o
sses
(
m
J)
Switching energy losses vs Gate resistance
VCE = 600V
V
GE=±15V
IC=300A
T
J = 125°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APTGF300U60AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF300U60D4 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module |
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| APTGF30A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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