参数资料
型号: APTGF30X60T3G
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数: 6/6页
文件大小: 311K
代理商: APTGF30X60T3G
APTGF30X60T3G
A
P
TG
F30X60T3G
R
ev
0
Ju
ly,
2007
www.microsemi.com
6- 6
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
1020
304050
C
,Ca
pac
it
ance
(p
F)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Therm
al
Im
pedanc
e
(°C/W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
0
40
80
120
160
200
240
0
10
20
304050
IC, Collector Current (A)
F
ma
x,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
en
cy
(
kHz
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 6.8
TJ = 125°C
TC= 75°C
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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