- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48374 > APTGF350A60 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGF350A60 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | APTGF350A60 |
APTGF350A60
A
PT
G
F3
50A
60
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
01
23
4
Ic,
C
o
llect
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0123456789
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic,
C
o
llect
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,C
o
lle
ct
o
rt
o
Emit
te
rVo
lt
a
g
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=720A
Ic=360A
Ic=180A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,C
o
lle
c
to
rt
o
Emit
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
Col
le
c
tor
t
o
E
m
it
te
r
B
re
ak
dow
n
Vo
lt
ag
e
(
N
o
rma
liz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
160
320
480
640
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
Gate Charge (nC)
V
GE
,Ga
te
t
o
Emit
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
IC = 360A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
01
23
4
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF350DA60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF350DA60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF500U60D4G | 625 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF350A60G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF350DA60G | 功能描述:IGBT 600V 430A 1562W SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF350DU60 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF350DU60G | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP6 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF350SK60 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。