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参数资料
| 型号： | APTGF500U60D4 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 625 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-4 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | APTGF500U60D4 |
APTGF500U60D4
A
P
T
G
F
500
U
60D
4–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 3
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
1
500
A
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1
mA
Tj = 25°C
1.95
2.45
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 500A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 6mA
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
26
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
2.4
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
174
Tr
Rise Time
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
400
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 600A
RG = 4.7
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
200
Tr
Rise Time
85
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
80
ns
Eon
Turn on Energy
11
Eoff
Turn off Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 300V
IC = 600A
RG = 4.7
22
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
1.25
1.6
VF
Diode Forward Voltage
IF = 600A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.2
V
Tj = 25°C
40
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 600A
VR = 300V
di/dt =5600A/s
Tj = 125°C
66
C
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.06
RthJC
Junction to Case
Diode
0.12
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
M6
3
5
Torque Mounting torque
M4
1
2
N.m
Wt
Package Weight
420
g
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PDF描述 |
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