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参数资料
| 型号： | APTGF500U60D4G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 625 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-4 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | APTGF500U60D4G |
APTGF500U60D4G
APT
G
F500U60D4G
–
Rev
1
July,
2
008
www.microsemi.com
4- 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
00.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1
23
45
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
10
20
30
40
50
60
0
150
300
450
600
750
900
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 12
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
20
40
60
80
10
15
20
25
30
35
40
45
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 600A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=12
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(°
C
/W)
IGBT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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