- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57949 > APTGF50A120T1G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APTGF50A120T1G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | APTGF50A120T1G |
APTGF50A120T1G
APTG
F50A120T1G
–
R
ev
0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
6 – 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020
3040
50
C,
Ca
pa
ci
ta
nc
e
(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
0
400
800
1200
I C
,C
o
ll
ec
to
rC
u
rre
nt
(A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
10
20
30
40
50
60
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
Fma
x,
O
p
er
at
in
g
Fr
equ
enc
y
(k
H
z)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
TC= 75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T3WG | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DDA60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DSK120T3G | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50H60T3 | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T3WG | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50A120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APTGF50DA120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。