参数资料
型号: APTGF50A120T3WG
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 242K
代理商: APTGF50A120T3WG
APTGF50A120T3WG
APT
G
F50A120T
3WG
Rev
0
M
ay
,2009
www.microsemi.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
4.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3450
Coes
Output Capacitance
330
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
220
pF
Qg
Total gate Charge
330
Qge
Gate – Emitter Charge
35
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5 Ω
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5 Ω
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
6.9
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5 Ω
Tj = 125°C
3.05
mJ
Isc
Short Circuit data
VGE ≤15V ; VBus = 900V
tp ≤ 10s ; Tj = 125°C
300
A
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
100
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
30
A
IF = 30A
2.6
3.1
IF = 60A
3.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
300
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
380
ns
Tj = 25°C
360
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 800V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
1700
nC
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